Optimiza el rendimiento de tu ordenador con el módulo de memoria RAM PNY DDR4 de 8GB a 2666MHz. Diseñada para ofrecer una mejora significativa en la velocidad y la capacidad de respuesta, esta memoria es ideal para usuarios que buscan potenciar sus sistemas de escritorio, ya sea para multitarea intensiva, aplicaciones exigentes o una experiencia de juego más fluida.
Con una velocidad de reloj de 2666 MHz, este módulo permite un acceso rápido a los datos, reduciendo los tiempos de carga y mejorando la eficiencia general del sistema. Su configuración de 8GB en un solo módulo facilita la expansión de memoria en equipos compatibles, ofreciendo flexibilidad para futuras actualizaciones.
La tecnología DDR4 garantiza un bajo consumo energético de 1.2V, lo que contribuye a una mayor eficiencia y menor generación de calor. Además, su latencia CAS de CL19 asegura una comunicación ágil entre la CPU y la memoria, proporcionando una operación estable y confiable.
Este módulo PNY es una solución económica y eficaz para revitalizar PCs y servidores, ofreciendo la fiabilidad y el rendimiento que esperas de un componente de calidad.
| Característica | Detalle |
|---|---|
| Tipo de memoria | DDR4 |
| Capacidad | 8 GB |
| Velocidad de memoria del reloj | 2666 MHz (PC4-21300) |
| Latencia CAS | CL19 |
| Diseño de memoria | 1 x 8 GB |
| Factor de forma | UDIMM (288-pin) |
| Voltaje de memoria | 1.2 V |
| Componente para | PC/Servidor |